Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://repo.btu.kharkov.ua//handle/123456789/54709| Назва: | Поліпшення зворотних характеристик діода Шотткі при використанні гетерування |
| Автори: | Литвиненко, В. М. |
| Дата публікації: | 2024 |
| Видавництво: | Харків: ДБТУ |
| Бібліографічний опис: | Литвиненко В. М. Поліпшення зворотних характеристик діода Шотткі при використанні гетерування. Технічний прогрес в АПВ: Матеріали Міжнародної науково-практичної конференції, 21-22 травня 2024 р. Харків: ДБТУ, 2024. С. 289-291. |
| Короткий огляд (реферат): | Розглянуто причини і механізми впливу дефектів і домішок на зворотні струми діода Шотткі. Наведено експериментальні результати впливу операцій гетерування дефектів і домішок на рівень зворотних струмів діодів. Проаналізовано механізми впливу операцій гетерування на зворотні струми діодів. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | https://repo.btu.kharkov.ua//handle/123456789/54709 |
| Розташовується у зібраннях: | Матеріали Міжнародної науково-практичної конференції "Технічний прогрес в АПВ" |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| MMNPK_Tehnichnyj_progres_v_APV_2024-289-291.pdf | 177.74 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.