Please use this identifier to cite or link to this item:
https://repo.btu.kharkov.ua//handle/123456789/54709| Title: | Поліпшення зворотних характеристик діода Шотткі при використанні гетерування |
| Authors: | Литвиненко, В. М. |
| Issue Date: | 2024 |
| Publisher: | Харків: ДБТУ |
| Citation: | Литвиненко В. М. Поліпшення зворотних характеристик діода Шотткі при використанні гетерування. Технічний прогрес в АПВ: Матеріали Міжнародної науково-практичної конференції, 21-22 травня 2024 р. Харків: ДБТУ, 2024. С. 289-291. |
| Abstract: | Розглянуто причини і механізми впливу дефектів і домішок на зворотні струми діода Шотткі. Наведено експериментальні результати впливу операцій гетерування дефектів і домішок на рівень зворотних струмів діодів. Проаналізовано механізми впливу операцій гетерування на зворотні струми діодів. |
| URI: | https://repo.btu.kharkov.ua//handle/123456789/54709 |
| Appears in Collections: | Матеріали Міжнародної науково-практичної конференції "Технічний прогрес в АПВ" |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| MMNPK_Tehnichnyj_progres_v_APV_2024-289-291.pdf | 177.74 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.