Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://repo.btu.kharkov.ua//handle/123456789/12378| Название: | The influence of high energy irradiation on electrical and dissipative properties of silicon single crystals |
| Другие названия: | Вплив високоенергетичного опромінення на електричні та дисипативні властивості монокристалів кремнію |
| Авторы: | Pelikhaty, N.M. Rokhmanov, N.Ya. Onischenko, V.V. |
| Дата публикации: | 2006 |
| Издательство: | Functional Materials |
| Библиографическое описание: | Pelikhaty N.M., Rokhmanov N.Ya., Onischenko V.V. The influence of high energy irradiation on electrical and dissipative properties of silicon single crystals Functional Materials, 2006. Vol.13. No. 4. P. 613-617. |
| Краткий осмотр (реферат): | Behavior of internal friction (IT) δ and electrical resistance of silicon single crystals with a low dislocation density (10-100 cm) during bombardment with α-particles was studied. The effect of hardening and a change in direct heterosis to the inverse amplitude dependence of internal friction with increasing dose rate of α-irradiation was revealed. This is explained by the blocking of charged dislocations by vacancies of radiation origin and by charge separation zones formed as a result of secondary infrared radiation. |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | https://repo.btu.kharkov.ua//handle/123456789/12378 |
| Располагается в коллекциях: | Статті |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| The influence of high energy irradiation on electrical and dissipative properties of silicon single crystals.pdf | 203.24 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.