Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://repo.btu.kharkov.ua//handle/123456789/12145| Назва: | Radiation destruction and internal friction in silicon single crystals |
| Інші назви: | Радиационное разрушение и внутреннее трение в монокристаллах кремния Радіаційне руйнування та внутрішнє тертя в монокристалах кремнію |
| Автори: | Ryzhikov, V.D. Rokhmanov, N.Ya. Galkin, S.N. Gnap A.K., A.K. |
| Ключові слова: | radiation defects;internal friction;vacancies |
| Дата публікації: | 2004 |
| Видавництво: | Ryzhikov V.D. Radiation destruction and internal friction in silicon single crystals/ V.D. Ryzhikov, N.Ya. Rokhmanov, S.N.Galkin, A.K. Gnap// Problems of atomic science and technology (PAST). Ser. Nucleare Phesics Investigation. – 2004, No. 2(43). - P. 180-182. |
| Короткий огляд (реферат): | The study of radiation defects in silicon single crystals of different orientation is carried out by means of methods of internal friction (IF) and electrical resistance. At the mechanical damping measurement a strategy of low-frequency flexible oscillations (f ~ 5 Hz) was used during the process of irradiation with α-particles. The descending curves and anomalous inverted hysteresis effect of IF versus amplitude of cyclic deformation were observed. The results were explained by the processes of ionization by induced infra-red radiation and charged dislocation-point defects association interaction. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | https://repo.btu.kharkov.ua//handle/123456789/12145 |
| Розташовується у зібраннях: | Статті |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Radiation destruction and internal friction in silicon single crystals.pdf | 200.71 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.