Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://repo.btu.kharkov.ua//handle/123456789/12145
Название: Radiation destruction and internal friction in silicon single crystals
Другие названия: Радиационное разрушение и внутреннее трение в монокристаллах кремния
Радіаційне руйнування та внутрішнє тертя в монокристалах кремнію
Авторы: Ryzhikov, V.D.
Rokhmanov, N.Ya.
Galkin, S.N.
Gnap A.K., A.K.
Ключевые слова: radiation defects;internal friction;vacancies
Дата публикации: 2004
Издательство: Ryzhikov V.D. Radiation destruction and internal friction in silicon single crystals/ V.D. Ryzhikov, N.Ya. Rokhmanov, S.N.Galkin, A.K. Gnap// Problems of atomic science and technology (PAST). Ser. Nucleare Phesics Investigation. – 2004, No. 2(43). - P. 180-182.
Краткий осмотр (реферат): The study of radiation defects in silicon single crystals of different orientation is carried out by means of methods of internal friction (IF) and electrical resistance. At the mechanical damping measurement a strategy of low-frequency flexible oscillations (f ~ 5 Hz) was used during the process of irradiation with α-particles. The descending curves and anomalous inverted hysteresis effect of IF versus amplitude of cyclic deformation were observed. The results were explained by the processes of ionization by induced infra-red radiation and charged dislocation-point defects association interaction.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): https://repo.btu.kharkov.ua//handle/123456789/12145
Располагается в коллекциях:Статті

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Radiation destruction and internal friction in silicon single crystals.pdf200.71 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.