Please use this identifier to cite or link to this item:
https://repo.btu.kharkov.ua/handle/123456789/54719Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Литвиненко, В. М. | - |
| dc.date.accessioned | 2024-06-12T10:27:03Z | - |
| dc.date.available | 2024-06-12T10:27:03Z | - |
| dc.date.issued | 2024 | - |
| dc.identifier.citation | Литвиненко В. М. Поліпшення зворотних характеристик діода Шотткі при використанні гетерування. Технічний прогрес в АПВ: Матеріали Міжнародної науково-практичної конференції, 21-22 травня 2024 р. Харків: ДБТУ, 2024. С. 316-319. | uk_UA |
| dc.identifier.uri | https://repo.btu.kharkov.ua//handle/123456789/54719 | - |
| dc.description.abstract | Розглянуто причини і механізми впливу дефектів і домішок на зворотні струми діода Шотткі. Наведено експериментальні результати впливу операцій гетерування дефектів і домішок на рівень зворотних струмів діодів. Проаналізовано механізми впливу операцій гетерування на зворотні струми діодів | uk_UA |
| dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
| dc.publisher | Харків: ДБТУ | uk_UA |
| dc.title | Поліпшення зворотних характеристик діода Шотткі при використанні гетерування | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
| Appears in Collections: | Матеріали Міжнародної науково-практичної конференції "Технічний прогрес в АПВ" | |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| MMNPK_Tehnichnyj_progres_v_APV_2024-316-319.pdf | 215.04 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.