Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://repo.btu.kharkov.ua/handle/123456789/18376
Название: Аналіз теплового режиму імпульсних генераторів на лавинно-прольотному діоді
Другие названия: Analysis of thermal conditions of the pulse generator on impatt
Анализ теплового режима импульсных генераторов на лавинно-пролетном диоде
Авторы: Сорокін, М. С.
Сухін, В. В.
Дата публикации: 2015
Издательство: ХНТУСГ
Библиографическое описание: Сорокін М. С., Сухін В. В. Аналіз теплового режиму імпульсних генераторів на лавинно-прольотному діоді. Вісник Харківського національного технічного університету сільського господарства, Вип. 164 «Проблеми енергозабезпечення та енергозбереження в АПК України». 2015. С. 130-132.
Серия/номер: Вісник Харків. нац. техн. ун-т сіл. госп-ва ім. П. Василенка;№ 164.
Краткий осмотр (реферат): Вирішена нестаціонарна задача теплового процесу для імпульсного режиму ЛПД. Розглянуто одновимірна теплова модель цих діодів, в якій враховані неоднорідність розподілу теплової потужності і розтікання тепла по тепловідводу в робочому інтервалі температур. Наведено результати чисельного розрахунку залежності середньої температури активного шару і теплового опору від параметрів імпульсу, а також від геометричних і теплофізичних параметрів діода.
Transient problem is solved thermal process for the IMPATT pulse mode. A one-dimensional thermal model of the diode, which takes into account the heterogeneity of distribution of thermal power, and spreading the heat of the heat sink in the operating temperature range. The results of a numerical calculation of the temperature dependence of the average of the active layer and the thermal resistance of the pulse parameters, as well as the geometric and thermal parameters of the diode.
Решена нестационарная задача теплового процесса для импульсного режима ЛПД. Рассмотрена одномерная тепловая модель этих диодов, в которой учтены неоднородность распределения тепловой мощности и растекания тепла по теплоотводу в рабочем интервале температур. Приведены результаты численного расчета зависимости средней температуры активного слоя и теплового сопротивления от параметров импульса, а также от геометрических и теплофизических параметров диода.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): https://repo.btu.kharkov.ua//handle/123456789/18376
Располагается в коллекциях:Випуск 164: Проблеми енергозабезпечення та енергозбереження в АПК України

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
48_164_2015.pdf847.56 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.