Please use this identifier to cite or link to this item:
https://repo.btu.kharkov.ua//handle/123456789/37588
Title: | Вплив кількості проходів електродом на глибину зони термічного впливу при електроіскровій обробці |
Authors: | Сіренко, О. В. Сіренко, Є. В. Тимошенко, М. Л. |
metadata.dc.contributor.advisor: | Мартиненко О. Д. |
Issue Date: | Apr-2023 |
Publisher: | Державний біотехнологічний універститет |
Citation: | Сіренко О. В., Сіренко Є. В., Тимошенко М. Л. Вплив кількості проходів електродом на глибину зони термічного впливу при електроіскровій обробці. Молодь і індустрія 4.0 в XXI столітті: матеріали ХІХ Міжнар. форуму молоді, 6-7 квіт. 2023 р.; наук. кер. канд.техн. наук, доцент Мартиненко О. Д., Харків: ДБТУ, 2023. С. 142 |
Abstract: | The influence of the number of electrode passes on the depth of the thermal zone during electric spark processing is considered |
URI: | https://repo.btu.kharkov.ua//handle/123456789/37588 |
metadata.dcterms.references: | 1. Мартыненко А.Д. Исследование распределения химических элементов в слое после электроискровой обработки //Сб. науч. тр.: Повышение надежности восстанавливаемых деталей машин: – Харьков: ХГТУСХ, 1997. – С.140-146. 2. Мартыненко А.Д., Скобло Т.С., Сидашенко А.И. Исследование влияния химического состава анода на величину и качество слоя, восстановленного электроискровым методом. //Сб. науч. тр.: Повышение надежности восстанавливаемых деталей машин: - Харьков: ХГТУСХ, 1997. – С.75-81. 3. Производство и применение прокатных валков [Текст] : справочник / Т.С. Скобло, А.И. Сидашенко, Н.М. Александрова, Е.Л. Белкин, В.М. Власовец, О.Ю. Клочко, А.Д. Мартыненко; под ред. Т.С. Скобло. - Харьков: ЦД № 1, 2013. - 572с. |
Appears in Collections: | Матеріали ХІХ Міжнародного форуму молоді "Молодь і індустрія 4.0 в XXI столітті" |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
Tezy MOLOD I INDUSTRIIa 4.0V XXI STOLITTI 06 kvitnia 2023-142.pdf | 299.8 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.